激光隱切作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中極具創(chuàng)新性的非接觸式切割技術(shù)，憑借其獨特的工作原理展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。它通過將高能量激光束聚焦于晶圓材料內(nèi)部特定深度，形成改性層，后續(xù)再通過外力或熱應(yīng)力使材料沿改性層精準分離，整個過程不會與材料表面發(fā)生直接接觸，從而有效避免了傳統(tǒng)切割方式可能造成的邊緣崩裂、材料損傷等問題，實現(xiàn)了對半導(dǎo)體材料微米級甚至納米級的精準切割，切割效率較傳統(tǒng)工藝提升顯著，能大幅縮短生產(chǎn)周期。
解決方案
晶圓加工
波長覆蓋范圍
177 - 5000nm
